建立一个MEMS膜开关电容比理论模型，全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，研究用计算影响开关电容比因素的数值方法。基于SI集成电路设计开发平台，分析SI电路非理想特性及其对电路结构性能的影响，进一步研究其测试方法以及可测试结构的设计。充分考虑开关电流的特殊性，提出测试矢量的生成方法。研究SI电路在微波射频领域的应用，探讨实用SI射频电路的实用结构设计。
    MEMS膜开关电容比理论模型的建立。以专业的SI集成电路设计仿真软件为平台，，结合开关电流电路的特殊性，提出适合的测试矢量与测试方法。对SI电路的射频效应开展前期的基础理论研究。这一领域在国内外都属于前沿研究领域。
    取得的主要突破：完整分析SI集成电路非理想特性，特别是在射频应用领域的非理想特性，针对关键结构进行设计理论的研究；发表论文7篇，其中 EI收录论文2篇。本年度获得博士学位一人，两人考取博士。